55、他！国家的未来之星，半导体的 (2-2)

“诸位老师，何兰的ASML，正在研发新一代的光刻机，既1900i型号。”

“但据我所知，1900i型光刻机，同样还是沿用了arf193nm光波，只是提高了激光切割尺寸。”

“也就是说，他们原来的配件并没有变化，只是将准分子激光器的功率提高了。”

“但ASML未来的光刻机，既euv光刻机，就是我黑板画的这个样子……”

说着，杨玄从第一个开始讲起：“除激光技术之外，还有六大核心技术。”

“架构设计：与光学光刻公用平台，针对真空腔与反射式曝光系统开展系统设计。”

“全反射，非共轴光学系统。”

“高速、高精度运动台与控制技术。”

“大功率、高可靠性光源。”

“传输过渡腔体、控制污染与颗粒进入主真空腔。”

“传感器真空兼容性设计。”

“高真空性环境下的研究：既密封性设计、材料抑制释放污染。”

来科学院之前，杨玄没有准备相关的设计方案。

从而导致讲课的时候，很难像之前一样，有条不紊，逻辑清晰。

眼下，他只能绞尽脑汁，搜索自己前世2021年所看的所有关于光刻机的论文。

相信凭借十六年后的论文方案，对于提升当下的光刻机技术，帮助应该是极大的。

但这也不是杨玄的功劳

而是几十年来，光刻技术领域所有专家的结晶，从业者编写成论文，让杨玄有了装逼的砝码。

“小杨，你先主要讲讲，光学系统领域的问题。”

台下，光学研究中心主任眯着眼睛询问道：“从你次讲完课，我们成立了一个课题小组，到目前，关于提高反射率的难题，始终没有功课。”

杨玄停顿了下，转身道：“老师，光学系统环境中水分子和碳氢化合物是导致反射率降低的主要原因。”

“这些水分子和碳氢化合物可能来源是材料表明的放气、泄漏和真空系统自身。”

“在高能量光照下水分子会氧化Mo\/Si，碳氢化合物会分解，在反射镜表面沉积一层碳膜。”

“数据显示反射镜表面沉积0.3nm的氧化层便会导致约1%的反射率损失。”

“所以，您可以尝试，在Mo\/Si层中加入Rh、Sr等材料；对每一层材料厚度做优化以及使用B4C作为保护层。”

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