第267章 贡献 (2-1)

新的理论、新的技术，意味着一切旧的理论和技术都要推倒重来。

原本的芯片，其原材料是以硅为主的硅基芯片。

而光刻机，并不是按字面的意思去理解，用光来雕刻。

激光雕刻机？

不是的。

光刻机它其实类似照片冲印的技术，把掩膜版上的精细图形通过光线的曝光印制到硅片上。

而芯片7n、10n指的是采用7n、10n制程的一种芯片。n是单位纳米的简称。

比如7n，指的是形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度，也被称为栅长。

栅长最技术要求越高，其芯片性能也越好。

光刻机生产集成电路的大概流程，先用模版去除制作硅半导体电路所用的硅晶片的保护膜。

再将硅晶片浸泡在腐化剂中，让失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路。还要用纯水洗净残留在晶圆表面的杂质。

这是传统的芯片制造工艺。

现在，更小的芯片制造已不是以硅为主，而是石墨烯。

石墨烯芯片作为电流载体，其速度更快，等比缩小更优异。

现在更小更快的芯片，就是以石墨烯芯片为研究方向。

而玛雨星帝国的低级芯片技术，就是以石墨烯为主的一种新型材料。

金石墨烯！

由此看来，地球对芯片技术的研究方向其实也是对的。从硅基芯片到石墨烯芯片。再未来，是否能到金石墨烯芯片，就不得而知了。

也许会找到另一种材料，也许就是金石墨烯材料。

按照墨华兑换出的技术理论说明，石墨烯的极限也就是1n。想要再发展到1n以下，那就是难上加难了。

不是石墨烯做不到，而是用传统的工艺方法，做不到。

之前说过，多少n说的是形成的互补氧化物金属半导体场效应晶体管栅极的宽度。

1纳米相当于五万分之一头发粗细。

这么细的宽度，还要再细，传统工艺的制造工具的精度上就无法保证。

所以，想要低于1n，不仅要改进材料，还要改进工艺。

金石墨烯，就是这样应运而生。

只有用金石墨烯制造出1n芯片的技术成熟，才有可能进一步发展，制造出1n以下的芯片。

而兑换出的技术当中，全新的光刻机其实已经可以说不叫光刻机了。只是系统转换玛雨星帝国技术过来时，顺手就用了地球上原来类似的名词名称。

为什么墨华说可以绕开专利封锁，为什么说和地球所有芯片的发展完全不同？

就因为，用来制造金石墨烯芯片的光刻机，其工作原理已经完全不同。

用模版去除制作硅半导体电路所用的硅晶片的保护膜？

不，不需要！

泡在腐化剂，让失去保护膜的部分被腐蚀掉后形成电路？

不，不是这样！

全新的光刻机，需要一个磁场，需要一个高温场，需要一个低温场。

整个光刻机，基本上可以说是一个磁场环境。

将石墨烯和黄金置于强磁场中，利用高温场让石墨烯原子处于活跃状态。

融化黄金，利用激光照射，光子定位，用磁场控制，使金原子进入石墨烯当中，与石墨烯原子一起按集成电路模版要求排列。

这其中，利用到了石墨烯的量子霍尔效应。与金原子一起，形成一种更为特殊的量子隧道效应。

待金原子和石墨烯原子按要求排列好，立即送入低温场冷却。

而石墨烯还有一种特性，在两层石墨烯中，第二层石墨烯相对于第一层发生扭曲时，当满足11度的“魔法角度”，并且温度降低到17开尔文以下时，双层石墨烯即可实现超导。

如果利用电场去除电子，这种双层石墨烯材料还可以成为绝缘体。

正是因为如此，一热一冷，如同炼钢淬火。强磁场控制，激光照射等手段，利用金原子使金石墨烯变成导电与绝缘同时并存的矛盾存在。

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